Poukisa nitrure Galyòm pi bon pase Silisyòm?

Konpare ak Silisyòm, avantaj nan GaN desann nan efikasite pouvwa. Kòm GaN Systems, yon manifakti pwofesyonèl nitrure Galyòm eksplike:

"Tout materyèl semi-conducteurs gen yon sa yo rele band gap. Sa a se ranje enèji nan ki pa gen okenn elektwon ka egziste nan yon solid. Nan ti bout tan, espas sa a band ki gen rapò ak konduktiviti elektrik la nan materyèl la solid. Gap nan band nan nitrure Galyòm se 3.4 eV, pandan ke Silisyòm se 1.12 eV. Nitrure Galyòm gen yon espas pi laj, ki vle di li ka kenbe tèt ak pi wo vòltaj ak tanperati ki pi wo pase Silisyòm."

Yon lòt manifakti GaN, Efficient Power Conversion Corporation, te di ke efikasite gid elèktron GaN a se 1,000 fwa silisyòm, ak pri fabrikasyon li pi ba.

Pi wo efikasite band gap vle di ke aktyèl ka pase nan bato GaN pi vit pase bato Silisyòm, ki ka mennen nan pi vit pouvwa pwosesis nan lavni an. Nan ti bout tan, chips ki fèt ak GaN yo pral pi vit, pi piti, pi efikas enèji, ak (evantyèlman) pi bon mache pase chips ki fèt ak Silisyòm.

Li se previzib ke ou ka pa fasil wè anpil chajè GaN anvan gwo manifaktirè pyès ki nan konpitè (tankou Apple ak Samsung) kòmanse mete yo nan nouvo òdinatè ak smartphones.