Preparasyon pwosesis nan sikwi entegre bipolè

Nov 27, 2019|

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Elektwonik co, Ltd(SCHitec) se yon antrepriz gwo teknoloji ki espesyalize nan pwodiksyon ak lavant akseswa telefòn. Pwodwi prensipal nou yo gen ladan chajè vwayaj, chajè machin, câbles USB, bank pouvwa ak lòt pwodwi dijital. , Si w enterese, ou ka kontakte ceo@schitec.com dirèkteman.

 

Rete chaje san danje ak SChitec

Preparasyon pwosesis nan sikwi entegre bipolè

Figi a montre koule nan pwosesis pou prepare yon varyateur sikwi entegre bipolè lè l sèvi avèk teknoloji izolasyon PN junction.

Figi a gen ladann yon tranzistò NPN ak yon rezistans chaj R. Materyèl orijinal la se yon baton kristal sèl Silisyòm ki gen yon dyamèt 75-150 mm dope ak enpurte kalite P, ak rezistans nan ρ=10 ohm · cm. oswa konsa. Koule pwosesis la se: premye, tranch, moulen, ak polish (se yon pwosesis preparasyon wafer) pou prepare yon wafer silisyòm sikilè ak yon epesè apeprè 300 a 500 mikron kòm yon substra, ak Lè sa a, fè kwasans epitaxial, oksidasyon, fotolitografi, difizyon. , Evaporasyon, lyezon presyon ak netwayaj wafer miltip, epi finalman pasivasyon sifas ak anbalaj fini.

Fabrikasyon yon chip sikwi entegre bipolè mande pou 5 fwa nan oksidasyon, 5 fwa nan fotolitografi sou yon kouch mens nan oksid Silisyòm (SiO2), ak yon fenèt modèl pou dopaj difizyon grave. Finalman, apre de fotolitografi, fil elektrik entèkonekte metal-aliminyòm ak fenèt pasivasyon pou lyezon presyon yo grave. Se poutèt sa, gen 7 mask pou tout seri sikui entegre bipolè. Menm si pwosesis pasivasyon an anjeneral omisyon, 6 etap fotolitografi yo obligatwa, ak 6 mask yo obligatwa.


Voye rechèch